公开/公告号CN103531618B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-06-01
原文格式PDF
申请/专利权人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
申请/专利号CN201210232236.9
申请日2012-07-05
分类号
代理机构北京市磐华律师事务所;
代理人董巍
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2022-08-23 09:40:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-06-01
授权
授权
2014-02-26
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20120705
实质审查的生效
2014-01-22
公开
公开
机译: 鳍型场效应晶体管的隔离层的形成方法以及使用该场效应晶体管制造鳍型场效应晶体管的方法
机译: 应变硅互补金属氧化物半导体,包括含硅的拉伸N型鳍式场效应晶体管和含硅的压缩P型鳍式场效应晶体管,其使用双弛豫基体制成
机译: 应变硅互补金属氧化物半导体,包括含硅的拉伸N型鳍式场效应晶体管和含硅的压缩P型鳍式场效应晶体管,其使用双弛豫基体制成