基于四引线法的辐射效应半导体器件伏安特性曲线测量系统

摘要

本实用新型涉及一种适用于辐射效应研究中长距离对半导体器件伏安特性曲线进行测量的测量系统，具体涉及一种基于四引线法的辐射效应半导体器件伏安特性曲线测量系统。该测量系统包括控制计算机、源表、矩阵开关、测试板和辐照板；所述控制计算机分别与源表和矩阵开关相连；所述源表、矩阵开关与测试板构成测试回路；所述测试板与辐照板相连；所述源表的sense hi端口和sence lo端口与测试板形成电压测量回路；所述源表的source hi端口和source lo端口与测试板形成电流测量回路。本实用新型改变了长线电阻与半导体器件PN结及电压电流表之间的电路关系，从原理性上妥善解决了长线电阻在辐射效应半导体器件伏安特性曲线测量中的问题，可以在相当宽的电流范围内保持较高的测量精度。