一种载流子增强型MOS结构

摘要

本实用新型提供了一种载流子增强型MOS结构，包括一具有第一掺杂型的衬底，及在衬底内形成的具有第二掺杂型的源区和漏区，其特征在于：所述源区及所述漏区之间开设有沟槽，所述沟槽内设置有负膨胀应力增强层，所述负膨胀应力增强层与所述沟槽内壁贴合。该结构不仅可以做到隔离沟槽的作用，而且还可以为MOS提供应力，负膨胀应力增强层在低温下，可以膨胀激发电子迁移活力，从而增强MOS的迁移率。