公开/公告号CN106784007A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-31
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州通富超威半导体有限公司;
申请/专利号CN201611254930.5
发明设计人 宋超;
申请日2016-12-30
分类号H01L29/78;H01L29/06;
代理机构南京苏科专利代理有限责任公司;
代理人陈忠辉
地址 215000 江苏省苏州市苏州工业园区苏桐路88号
入库时间 2023-06-19 02:20:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20161230
实质审查的生效
2017-05-31
公开
公开
机译: 基于自由载流子色散效应的电光调制的电路架构以及使用CMOS或bi-CMOS工艺的此类调制器电路的波导电容器结构
机译: 改善CMOS中载流子迁移率的方式(压缩SiGe <110>的生长和MOSFET器件的结构)
机译: 基于自由载流子色散效应的电光调制的电路架构以及使用CMOS或Bi-CMOS工艺的此类调制器电路的波导电容器结构