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校准椭偏仪的膜厚样片及其检验样片

摘要

本实用新型公开了一种校准椭偏仪的膜厚样片及其检验样片,涉及椭偏仪校准技术领域,包含多组附着二氧化硅或氮化硅的硅片,二氧化硅薄膜的厚度≤1000nm,氮化硅薄膜的厚度≤200nm,覆盖了现在半导体工艺二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜的应用范围,硅片上还设有定标图形,定标图形围绕的区域为定标区域,即校准椭偏仪时测量的区域,定标区域位于硅片的中心区域,每次校准椭偏仪的区域一致,厚度一致,保证校准的准确性,还公开了校准椭偏仪的膜厚样片的检验样片,可以对校准椭偏仪的膜厚样片进行检验,检验膜厚样片是否能够校准椭偏仪。

著录项

  • 公开/公告号CN205825904U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2016-12-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201620790976.8

  • 发明设计人 李锁印;

    申请日2016-07-26

  • 分类号

  • 代理机构石家庄国为知识产权事务所;

  • 代理人申超平

  • 地址 050051 河北省石家庄市合作路113号

  • 入库时间 2022-08-22 01:59:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-12-21

    授权

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