二氧化硅膜厚标准样片的研制与评价

摘要

介绍了二氧化硅膜厚标准样片的用途及国内研制样片的情况,设计了二氧化硅膜厚样片的制作版图,分别采用热氧化和等离子化学气相淀积(PECVD)工艺制备了厚度为10nm～1000nm的硅上二氧化硅膜厚样片.以10nm、1000nm为例对样片的薄膜厚度、均匀性、稳定性进行了考核.结果表明,热氧化工艺制备的膜厚样片质量优于PECVD工艺制备的膜厚样片,研制的膜厚样片的膜厚量值与设计值基本一致,稳定性好,与美国VLSI公司的相同膜厚的膜厚标准样片相比,采用热氧化工艺制作的二氧化硅膜厚样片的均匀性与VLSI样块评价测量结果一致.