法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-27
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L29/78 授权公告日:20161214 终止日期:20190412 申请日:20160412
专利权的终止
2016-12-14
授权
授权
机译: 用于抑制有源通道区域中的光电感应漏电流产生的MOS晶体管及其应用
机译: 用于抑制有源通道区域中的光电感应漏电流产生的MOS晶体管及其应用
机译: 用于制造例如集成电路的集成电路的方法P沟道互补MOS晶体管,涉及通过蚀刻工艺在有源区中产生凹槽,以及通过执行外延生长工艺形成半导体合金