法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-17
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H03G3/30 授权公告日:20161005 终止日期:20190328 申请日:20160328
专利权的终止
2016-10-05
授权
授权
机译: 一种在CMOS晶体管中由于扩散的漏极和源极区而制备低电位的工艺,以实现高效率和低功耗的应用
机译: 一种新颖的高速低功耗三输入静态CMOS异或逻辑门电路
机译: 快速,低功耗DRAM感应放大器-使用电流镜和互补CMOS FET来提高速度和低功耗。