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基于气体分子插层耦合调控的微纳米电子器件

摘要

本实用新型公开了一种基于微纳米结构与基底耦合调控的微纳米电子器件,包括一基底及一微纳米结构层,其中,进一步包括一气体分子插层位于所述基底与微纳米结构层之间。通过控制在微纳米结构与基底之间注入气体分子,可对于微纳米电子器件中微纳米结构与基底界面的电、热性能进行有效调控。

著录项

  • 公开/公告号CN205187840U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2016-04-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201520675229.5

  • 发明设计人 徐志平;王艳磊;

    申请日2015-09-02

  • 分类号

  • 代理机构深圳市鼎言知识产权代理有限公司;

  • 代理人贾艳春

  • 地址 100084 北京市海淀区北京100084-82信箱

  • 入库时间 2022-08-22 01:18:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-16

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B81B1/00 授权公告日:20160427 终止日期:20180902 申请日:20150902

    专利权的终止

  • 2016-04-27

    授权

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