法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-08-18
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L27/146 授权公告日:20160302 终止日期:20160701 申请日:20150701
专利权的终止
2016-03-02
授权
授权
机译: 用于制造集成式气体传感器和对应的CMOS集成式气体传感器的CMOS工艺
机译: 集成了标准CMOS传感器的CMOS电路,可提高能效和包含该传感器的传感器装置
机译: 利用电荷泵的生物传感器,一种生物传感器装置,一种生物传感器装置的制造方法以及一种生物材料检测方法,能够使用CMOS工艺技术提供具有高再现性的纳米间隙的FET结构。