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公开/公告号CN204789824U
专利类型实用新型
公开/公告日2015-11-18
原文格式PDF
申请/专利权人 国电环境保护研究院;
申请/专利号CN201520528196.1
发明设计人 申智勇;陆小成;惠润堂;庄柯;潘云;朱纯根;
申请日2015-07-20
分类号
代理机构南京汇盛专利商标事务所(普通合伙);
代理人张立荣
地址 210013 江苏省南京市浦口区浦东路10号
入库时间 2022-08-22 00:55:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-30
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G01R31/00 变更前: 变更后: 申请日:20150720
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2015-11-18
授权
机译: 具有S形伏安特性的二极管制造过程
机译: 二极管伏安特性电导系数的测量方法
机译: 采用负电阻二极管的阈值电路和具有特定伏安特性的器件
机译:激光二极管线伏安特性的温度依赖模型
机译:破坏性因子作用下谐振隧道二极管伏安特性的动力学建模
机译:基于伏安特性的动力学分析,研究欧姆触点Alas /(气体谐振隧道二极管的热降解的研究
机译:一定条件下光电二极管传感器伏安特性的计算与分析
机译:硼化物强化的镍和铁基微晶合金的点蚀和一般腐蚀特性(交流阻抗,循环伏安法)。
机译:微电极的稳态伏安法在封闭双极细胞
机译:单轴弹性变形对表面屏障二极管SB-P-Si -Au伏安特性的影响
机译:用于静态和流通电池中的碳,金和铂微盘电极的极稀溶液中伏安法的仪器配置和电极设计