公开/公告号CN204289435U
专利类型实用新型
公开/公告日2015-04-22
原文格式PDF
申请/专利权人 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;
申请/专利号CN201520007852.3
申请日2015-01-07
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人屈蘅
地址 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号
入库时间 2022-08-22 00:34:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-27
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L23/544 授权公告日:20150422 终止日期:20190107 申请日:20150107
专利权的终止
2015-04-22
授权
授权
机译: 利用FALC工艺和沟道区排列结构在多晶硅TFT-LCD阵列基板的沟道区中结晶的方法
机译: 在三维(3D)晶体管中选择性地使沟槽隔离凹陷,以改变沟槽隔离中的沟道结构暴露,从而控制驱动强度
机译: 在沟道区中具有杂质扩散层的闪速EEPROM及其生产工艺