一种同时提高读噪声容限和写裕度的新型12管SRAM单元电路

摘要

本实用新型公开了一种同时提高读噪声容限和写裕度的新型12管SRAM单元电路，该电路包括：四个PMOS管P1～P4和八个NMOS管N1～N8；其中，NMOS管N1和PMOS管P1组成一个反相器A1，该反相器A1输入端接字线WL，输出端接NMOS管N4的栅极，所述PMOS管P1的源极接片选CS，所述NMOS管N1的源极接地；PMOS管P4和NMOS管N7组成并联结构，所述NMOS管N7的栅极接字线WL。该电路可以消除半选问题，同时解决读半选问题和写半选问题，同时没有额外的功耗消耗。