具有低寄生BJT增益和稳定阈值电压的横向绝缘栅极双极型晶体管结构

摘要

本公开提供了一种具有低寄生BJT增益和稳定阈值电压的金属氧化物半导体横向扩散器件(HV？LDMOS)，尤其是横向绝缘栅极双极结型晶体管(LIGBT)及其形成方法。该器件包括绝缘体上硅(SOI)衬底，其具有漂移区域、漂移区域中的两个相反掺杂的阱区域、位于漂移区域和第二阱区域上方并嵌入其中的两个绝缘结构、栅极结构以及源极区域，该源极区域处在第二阱区域中且位于嵌在第二阱区域中的第三阱区域上方。第三阱区域设置在栅极结构和第二绝缘结构之间。