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公开/公告号CN203768486U
专利类型实用新型
公开/公告日2014-08-13
原文格式PDF
申请/专利权人 新磊半导体科技(苏州)有限公司;
申请/专利号CN201420044141.9
发明设计人 杜全钢;李维刚;谢小刚;姜炜;冯巍;郭永平;蒋建;
申请日2014-01-23
分类号
代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;
代理人张慧
地址 215151 江苏省苏州市大同路20号出口加工区D-1厂房
入库时间 2022-08-22 00:13:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-08-13
授权
机译: 利用分子束外延和衬底去除技术外延生长GaAs薄膜的方法和与GaAs衬底无关的器件结构
机译: 通过分子束外延生长掺杂的III-V合金层的方法以及包括具有通过这种方法生长的掺杂的III-V合金的外延层的半导体衬底的半导体器件的半导体器件
机译:等离子体辅助分子束外延(P-MBE)在带有MgO缓冲液的c-蓝宝石衬底上生长的ZnO外延层
机译:带有纵向电子束泵的半导体激光器,其基于通过分子束外延生长在ZnSe衬底上的量子阱ZnCdSe / ZnSe结构
机译:衬底生长温度对分子束外延生长的氢化Si / Si同质外延结构中H扩散的影响
机译:生长中衬底偏压对电子回旋共振等离子体辅助分子束外延生长InN薄膜特性的影响
机译:氢化物气相外延生长极性和非极性氮化物半导体准衬底,用于分子束外延开发光电子器件
机译:通过分子束外延生长在GaAs衬底上的铝薄膜中的磁传输
机译:通过分子束外延生长的AlxGa1-XAS脱落在非平面衬底中的凹槽上的分子束外部生长的组成调节
机译:通过分子束外延直接在si衬底上生长的Gaas层中制造的金属半导体场效应晶体管。