法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-12-15
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R31/26 授权公告日:20140723 终止日期:20161031 申请日:20131031
专利权的终止
2014-07-23
授权
授权
机译: 晶体管模型,一种基于计算机的晶体管特性确定方法,用于执行该方法的设备和计算机可读存储介质
机译: 一种评估绝缘栅型晶体管的方法,一种制造绝缘栅型晶体管的方法,一种用于评估绝缘栅型晶体管的特性的装置以及根据特征记录程序的计算机读取器
机译: 薄膜晶体管,一种制造薄膜晶体管的方法以及一种使用该薄膜晶体管的显示装置,能够通过在通道区域中使用结晶的半导体层来减少晶体管特性的不均匀性