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公开/公告号CN203456421U
专利类型实用新型
公开/公告日2014-02-26
原文格式PDF
申请/专利权人 广东工业大学;
申请/专利号CN201320094235.2
发明设计人 曹占伦;陈新;吴小洪;姜永军;高健;
申请日2013-03-01
分类号
代理机构广州粤高专利商标代理有限公司;
代理人林丽明
地址 510006 广东省广州市番禺区广州大学城外环西路100号
入库时间 2022-08-22 00:02:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-02-26
授权
机译: 引线键合方法的碳化硅结FET的引线键合结构上的引线键合接触区域的方法半导体组件集成电源开关电路,涉及清洁引线键合接触区域
机译: 引线键合头及带有引线键合装置的引线键合装置
机译:评估引线键合性能,工艺条件和板上芯片引线键合的冶金学完整性
机译:包装装置2-泰式键合装置,引线键合装置
机译:粗引线键合工艺的可行性研究:如何评估功率MOSFET在FR4衬底上的厚引线键合工艺
机译:使用引线键合机键合头的原位球形键合剪切测量
机译:在引线键合技术中,研究低k裸片上直径为0.8密耳(20微米)的金键合引线的球形键合完整性。