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一种经图案优化的LED芯片的图形化衬底及LED芯片

摘要

本实用新型公开了一种经图案优化的LED芯片的图形化衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的正三棱锥组成,正三棱锥的倾角α为60°~65°;相邻正三棱锥的间距d为所述正三棱锥的边长a的1~1.4倍。本实用新型还公开了包括上述的经图案优化的LED芯片的图形化衬底的LED芯片。本实用新型与现有技术相比,具有比普通衬底LED芯片更优的出光效率,正三棱锥图形符合GaN的晶格结构,实际加工容易获得目标图案,便于推广应用。

著录项

  • 公开/公告号CN202996886U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2013-06-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN201220696635.6

  • 发明设计人 李国强;王海燕;周仕忠;林志霆;

    申请日2012-12-15

  • 分类号

  • 代理机构广州市华学知识产权代理有限公司;

  • 代理人蔡茂略

  • 地址 510641 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2022-08-21 23:48:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-06-12

    授权

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