公开/公告号CN202996884U
专利类型实用新型
公开/公告日2013-06-12
原文格式PDF
申请/专利权人 广州市众拓光电科技有限公司;
申请/专利号CN201220629414.7
发明设计人 李国强;
申请日2012-11-23
分类号H01L33/02(20100101);H01L33/32(20100101);
代理机构广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙);
代理人汤喜友
地址 510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房
入库时间 2022-08-21 23:48:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-04-14
专利权的转移 IPC(主分类):H01L33/02 登记生效日:20200326 变更前: 变更后: 申请日:20121123
专利申请权、专利权的转移
2013-06-12
授权
授权
机译: 通过气相生长在半导体衬底上形成铝金属薄膜的方法
机译: 改善(GA,AL,In,B)N薄膜和生长在非极性或半极性(GA,AL,IN,B)N衬底上的薄膜和表面形貌的方法
机译: 外延生长在带沟槽的Si <001>衬底上的立方相氮基化合物半导体薄膜