一种碳化硅电力电子器件

摘要

本实用新型公开一种碳化硅电力电子器件，旨在提高供一种结构简单、精密程度高，且生产成本低廉的碳化硅电力电子器件。该器件包括：一碳化硅半导体薄膜以及形成于碳化硅半导体薄膜上的掩膜层，所述的掩膜层为通过光刻和氧化后成型的氧化硅薄膜图案，该氧化硅薄膜图案间形成有间隙。本实用新型在碳化硅半导体薄膜上淀积硅薄膜层，将硅薄膜层经刻蚀后形成硅薄膜，并在硅薄膜上进行氧化工艺处理，通过氧化形成氧化硅薄膜图案，该氧化硅薄膜图案可通过氧化温度和时间等条件，精确控制其宽度，即可控制氧化硅薄膜图案之间的间隙的大小，使本实用新型精密程度高，可满足不同产品的需求。另外，本实用新型还具有制作简单、成本低廉等优点。