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碳化硅电力电子器件技术发展现状与趋势

         

摘要

cqvip:以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体,可在更高温度、电压及频率环境正常工作,同时消耗电力更少,持久性和可靠性更强,将为下一代更小体积、更快速度、更低成本、更高效率的电力电子产品提供飞跃的机遇。本文对碳化硅电力电子器件技术国内外发展现状与趋势进行了梳理,并提出了我国进一步发展重点和对策建议。

著录项

  • 来源
    《科技中国》 |2018年第6期|4-7|共4页
  • 作者单位

    科技部高技术研究发展中心;

    科技部高技术研究发展中心;

    中国科学院理化技术研究所;

    北京鉴衡认证中心有限公司;

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  • 正文语种 chi
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