首页> 外文OA文献 >Сравнительный эллипсометрический анализ политипов карбида кремния 4H, 15R, 6H, полученных модифицированным методом Лели в одном ростовом процессе

【2h】

Сравнительный эллипсометрический анализ политипов карбида кремния 4H, 15R, 6H, полученных модифицированным методом Лели в одном ростовом процессе

机译：通过一种生长过程中的Lyubes改性方法获得的碳化硅4h，15r，6h的碳化硅4h，15r，6h的编重比较椭圆分析

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Д.Д. Авров; А.Н. Горляк; А.О. Лебедев; В.В. Лучинин; А.В. Марков; А.В. Осипов; М.Ф. Панов; С.А. Кукушкин;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2020
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
专利

1. Optical properties of the niobium centre in 4H, 6H, and 15R SiC [J] . Ivan G. Ivanov, Andreas Gaellstroem, Stefano Leone, Materials science forum . 2013,第期

机译：铌中心在4H，6H和15R SiC中的光学性质
2. The electronic structure and spectroscopic properties of 3C, 2H, 4H, 6H, 15R and 21R polymorphs of SiC [J] . W.Y. Ching, Yong-Nian Xu, Paul Rulis, Materials Science and Engineering. A, Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing . 2006,第1a2期

机译：SiC的3C，2H，4H，6H，15R和21R多晶型物的电子结构和光谱性质
3. UD-3 defect in 4H, 6H, and 15R SiC: Electronic structure and phonon coupling - art. no. 115204 [J] . Wagner M., Magnusson B., Chen WM., Physical Review, B. Condensed Matter . 2002,第11期

机译：4H，6H和15R SiC中的UD-3缺陷：电子结构和声子耦合-艺术。没有。 115204
4. Optical Properties of the Niobium Centre in 4H, 6H, and 15R SiC [C] . Ivan G. Ivanov, Andreas G?llstr?m, Stefano Leone, ECSCRM 2012 . 2013

机译：铌中心的光学性质在4H，6H和15R SIC中
5. Pulsed laser ablation and micromachining of 4H and 6H silicon carbide wafers for high-temperature MEMS sensors. [D] . Gupta, Saurabh. 2008

机译：用于高温MEMS传感器的4H和6H碳化硅晶片的脉冲激光烧蚀和微加工。
6. Synthesis of 2-substituted 9-oxa-guanines {5-aminooxazolo54-dpyrimidin-7(6H)-ones} and 9-oxa-2-thio-xanthines {5-mercaptooxazolo54-dpyrimidin-7(6H)-ones} [O] . Subrata Mandal, Wen Tai Li, Yan Bai, 2008

机译：2-取代的9-氧杂鸟嘌呤{5-氨基恶唑啉54-d嘧啶-7（6H）-ones}和9-氧杂-2-硫代黄嘌呤{5-巯基恶唑54-d的合成 pyrimidin-7（6H）-ones}
7. Новые линии в спектрах ИК люминесценции высокого разрешения монокристаллов SiC политипов 4H и 6H [O] . К.Н. Болдырев, Д.Д. Гуценко, С.А. Климин, 2020

机译：高分辨率SiC的IR发光光谱的新线路政治化4H和6H政治家
8. Optical Properties of 4H, 6H, 15R, 21R, Cubic SiC [R] . Choyke, W. J., Patrick, L. 1969

机译：4H，6H，15R，21R，立方siC的光学性质

Сравнительный эллипсометрический анализ политипов карбида кремния 4H, 15R, 6H, полученных модифицированным методом Лели в одном ростовом процессе

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅