一种碳化硅晶体的制备方法、碳化硅晶片、碳化硅衬底及半导体器件

摘要

本发明公开一种碳化硅晶体的制备方法、碳化硅晶片、碳化硅衬底及半导体器件，所述碳化硅晶体的制备方法包括以下步骤：将甲基三氯硅烷和氢气在第一反应腔内进行还原分解反应，生成四氢化硅和乙烷；将所述四氢化硅和乙烷在第二反应腔内进行反应，生成碳化硅单晶；使所述碳化硅单晶在籽晶处形核、长大，结晶形成碳化硅单晶并生长成为碳化硅晶体。本发明以甲基三氯硅烷为原料，采用HTCVD方法生长制备碳化硅，显著降低了碳化硅制备过程中的反应温度，避免了碳源挥发造成碳化硅质量下降的问题，提高了制备所得的碳化硅晶体的质量。