一种降低热噪声的硅外延平面晶体管结构

摘要

一种降低热噪声的硅外延平面晶体管结构，该所述结构包括：二氧化硅层(1)、基极(3)、发射极(4)、集电极(5)、N型半导体、P型沟槽区(7)、P型浓硼掺杂区(6)、N型浓磷掺杂区；二氧化硅层位于晶体管上面位置；发射极嵌入二氧化硅层位于上面中央位置，通过铝层(2)与N型浓磷掺杂区相连；基极是围绕发射极的一个嵌入二氧化硅层的环形区域，基极接触区通过铝层与N型半导体上P型浓硼掺杂区相连；集电极位于晶体管底层的N型浓磷掺杂区；P型沟槽区位于发射极下；基极、发射极和集电极通过引线与外界电路连接；所述P型浓硼掺杂区的表面浓度为2～5×10