法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-06-18
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L33/14 授权公告日:20110216 终止日期:20130423 申请日:20100423
专利权的终止
2011-02-16
授权
授权
机译: GaN基LED元件,制造方法以及用于制造GaN基LED元件的模板的GaN基LED元件
机译: GaN基LED元件,制造GaN基LED元件的方法以及制造GaN基LED元件的模板
机译: 具有嵌入式栅电极的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT),该栅电极具有第一凹槽部分和第二凹槽部分以改善漏极击穿电压