反向击穿电压对GaN基LED成管可靠性的影响分析

摘要

反向击穿电压是反映LED芯片特性的重要参数，通过对比成管在老化一定时间后漏电流的变化，发现反向击穿电压低的芯片封装的成管更容易漏电失效。文章认为反向击穿电压一定程度表征LED芯片外延薄膜晶体的有源区缺陷，缺陷易形成非辐射复合中心，从而引起更大缺陷。这为客户快速评判LED器件可靠性提供一定参考依据。