GaN基LEDs可靠性的研究

摘要

本文以加速寿命试验和失效分析为主要研究手段，对GaN LEDs器件退化机理进行了比较深入的研究，并对一些关键工艺提出了改进措施。主要内容包括： 研究了封装与器件可靠性的关系及封装造成的失效模式。 应用扫描电镜对过电应力(Electrical Overstress)造成的损伤进行了系统分析。 采用两步刻蚀法减小常规：ICP刻蚀工艺所带来的损伤，实验表明改进工艺后器件的正向电压降低，输出功率增大，长期可靠性得到提高。 研究了不同的电流扩展工艺对GaN LEDs器件的影响。通过红外热像仪测试说明带有环状n型电极的器件比常规器件有更好的性能。

目录

文摘

英文文摘

第一章前言

1.1GaN LEDs的应用

1.2GaN LEDs可靠性研究进展

1.3本文主要内容和结果

第二章GaN LEDs的失效分析

2.1GaN LEDs的加速寿命实验

2.2GaN LEDs的失效机理分析

2.3小结

第三章ICP刻蚀工艺的改进

3.1ICP技术介绍

3.2ICP刻蚀损伤及常见恢复方法

3.3ICP工艺的改进：两步刻蚀法

3.4小节

第四章电流扩展工艺的改进

4.1电流扩展技术介绍

4.2简单模型

4.3电流扩展工艺改进

4.4小结

第五章总结

参考文献

博士后工作介绍

致谢

博士生期间发表的学术论文，专著

博士后期间发表的学术论文，专著

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