公开/公告号CN201540881U
专利类型实用新型
公开/公告日2010-08-04
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市矽格半导体科技有限公司;
申请/专利号CN200920133193.2
申请日2009-06-29
分类号
代理机构
代理人
地址 518128 广东省深圳市宝安区西乡黄田金碧工业区11栋
入库时间 2022-08-21 23:11:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-06-14
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/50 授权公告日:20100804 终止日期:20180629 申请日:20090629
专利权的终止
2010-08-04
授权
授权
机译: 具有在侧溢料上形成的凹槽的半导体封装,凹槽形成方法以及使用形成有凹槽的半导体封装的去溢料方法
机译: 具有在侧溢料上形成的凹槽的半导体封装,凹槽形成方法以及使用形成有凹槽的半导体封装的去溢料方法