退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN201429808Y
专利类型
公开/公告日2010-03-24
原文格式PDF
申请/专利权人 东南大学;
申请/专利号CN200920047262.8
发明设计人 吴金;郑丽霞;王永寿;赵霞;常昌远;
申请日2009-07-07
分类号
代理机构南京经纬专利商标代理有限公司;
代理人许方
地址 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号
入库时间 2022-08-21 23:08:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-04-27
避免重复授权放弃专利权 IPC(主分类):G05F3/30 授权公告日:20100324 放弃生效日:20090707 申请日:20090707
避免重复授权放弃专利权
2010-03-24
授权
机译: 带隙基准电路和高阶温度补偿方法
机译: 具有高阶温度补偿的带隙基准电路
机译: 广域电源biCMOS带隙基准电压电路及基准电压提供方法
机译:使用分段曲率温度补偿技术从无电阻CMOS带隙基准电路产生低于1V的基准电压
机译:新型高PSRR高阶温度补偿亚阈值MOS带隙基准
机译:所有CMOS带隙基准电压源的带隙核心和启动电路设计
机译:具有改进的高阶温度补偿的新型CMOS带隙基准电路
机译:CMOS带隙基准电路。
机译:三元光物理性质的研究Zn-Ga-S量子点:带隙与亚带隙激发和排放
机译:基于0.18μm工艺技术的带补偿电路的基于Cmos的带隙基准电压的设计与仿真
机译:带隙电压基准的高阶温度补偿(I)