首页> 中国专利> CMOS亚阈高阶温度补偿带隙基准电路

CMOS亚阈高阶温度补偿带隙基准电路

摘要

本实用新型公布了一种CMOS亚阈高阶温度补偿带隙基准电路,包括电流模带隙基准电路和反馈控制回路,其中电流模带隙基准电路由六个PMOS管、四个NMOS管和五个电阻构成,反馈控制回路由两个PMOS管和四个NMOS管构成。本实用新型具有较低的温度系数、较高的电源抑制比。采用CSMC0.5μm标准CMOS工艺库经仿真后得到温度系数仅为0.42ppm/℃,低频下的PSRR达到78dB以上。

著录项

  • 公开/公告号CN201429808Y

    专利类型

  • 公开/公告日2010-03-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东南大学;

    申请/专利号CN200920047262.8

  • 申请日2009-07-07

  • 分类号

  • 代理机构南京经纬专利商标代理有限公司;

  • 代理人许方

  • 地址 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号

  • 入库时间 2022-08-21 23:08:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-04-27

    避免重复授权放弃专利权 IPC(主分类):G05F3/30 授权公告日:20100324 放弃生效日:20090707 申请日:20090707

    避免重复授权放弃专利权

  • 2010-03-24

    授权

    授权

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号