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公开/公告号CN201292399Y
专利类型
公开/公告日2009-08-19
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司;
申请/专利号CN200820219584.1
发明设计人 郭东民;佟辉;冯彬;刘大为;鲁向群;金振奎;刘丽华;
申请日2008-11-19
分类号
代理机构沈阳科苑专利商标代理有限公司;
代理人周秀梅
地址 110168 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1号
入库时间 2022-08-21 23:04:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-12-07
避免重复授权放弃专利权 IPC(主分类):C23C14/22 授权公告日:20090819 放弃生效日:20081119 申请日:20081119
避免重复授权放弃专利权
2009-08-19
授权
机译: 具有双腔室的溅射装置,包括基体腔室,磁控腔,溅射靶和压力控制器
机译: 双室离子束溅射沉积系统
机译:单磁控和双磁控系统中脉冲沉积过程中溅射原子传输的模拟
机译:双靶磁控直流溅射沉积Ti / C纳米复合DLC薄膜
机译:双磁控开放场溅射系统,用于横向沉积薄膜
机译:双靶磁控直流溅射沉积Ti / C纳米复合薄膜
机译:氧化铝的双磁控反应溅射。
机译:在不加热衬底的情况下通过射频磁控等离子体溅射沉积的铝掺杂氧化锌薄膜的空间分辨光电性能
机译:通过计算机控制双离子束溅射系统沉积多组分薄膜用于电光应用