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半导体发光器件寿命加速试验装置

摘要

半导体发光器件寿命加速试验装置,属于半导体发光器件和应用产品的测试领域。现有技术存在操作复杂、测量结果不准确的缺陷,本实用新型包括温控箱、设于温控箱内的试验样品支承座以及光传输器,所述光传输器的一端为采集端,采集端与支承座配合设置,所述的光传输器的另一端为测量端,该测量端与测光仪相连,通过设置光传输器使得在实验升温工程中可直接用测光仪测得试验样品的光功率或光通量,避免了反复取放、升降温过程带来的测量误差,操作方便。

著录项

  • 公开/公告号CN201017022Y

    专利类型

  • 公开/公告日2008-02-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州浙大三色仪器有限公司;

    申请/专利号CN200720107239.4

  • 发明设计人 牟同升;

    申请日2007-03-13

  • 分类号

  • 代理机构浙江翔隆专利事务所;

  • 代理人戴晓翔

  • 地址 310013 浙江省杭州市西溪路525号浙大科技园西区A座225室

  • 入库时间 2022-08-21 22:57:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-04-26

    专利权有效期届满 IPC(主分类):G01R31/26 授权公告日:20080206 申请日:20070313

    专利权的终止

  • 2008-02-06

    授权

    授权

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