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栅极结构及包含此结构的金氧半晶体管结构

摘要

本实用新型为一种栅极结构,包括:一基底,于该基底上形成有一栅介电层,于该栅介电层上形成有一第一栅导电层,该第一栅导电层中的晶粒排列为一无规则排列,于该第一栅导电层上形成有一第二栅导电层,该第二栅导电层中的晶粒排列为一柱状排列。本实用新型的范围更包括含有前述栅极结构的金氧半晶体管结构。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-08-20

    专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L29/78 授权公告日:20051130 期满终止日期:20140726 申请日:20040726

    专利权的终止

  • 2005-11-30

    授权

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