法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-08-20
专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L29/78 授权公告日:20051130 期满终止日期:20140726 申请日:20040726
专利权的终止
2005-11-30
授权
授权
机译: 栅极结构及其制造方法,薄膜晶体管结构及其制造方法,倒置晶体管结构
机译: 具有减小的栅极电容的高压晶体管结构,可构成金属氧化物-半导电半导体场效应晶体管
机译: 包括埋入式栅极图案的场效应晶体管结构以及制造包括场效应晶体管结构的半导体器件的方法