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栅极结构及包含此结构的金氧半晶体管结构及其制造方法

摘要

本发明为一种栅极结构,包括:一基底,于该基底上形成有一栅介电层,于该栅介电层上形成有一第一栅导电层,该第一栅导电层中的晶粒排列为一无规则排列,于该第一栅导电层上形成有一第二栅导电层,该第二栅导电层中的晶粒排列为一柱状排列。本发明的范围更包括含有前述栅极结构的金氧半晶体管结构及其制造方法。

著录项

  • 公开/公告号CN1581511A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-02-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN200410070780.3

  • 申请日2004-07-26

  • 分类号H01L29/78;H01L27/092;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8234;

  • 代理机构北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人王一斌

  • 地址 台湾省新竹科学工业园区

  • 入库时间 2023-12-17 15:55:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-10-03

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2005-04-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-02-16

    公开

    公开

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