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公开/公告号CN1581511A
专利类型发明专利
公开/公告日2005-02-16
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN200410070780.3
发明设计人 陈佳麟;黄明杰;陈建豪;李资良;陈世昌;
申请日2004-07-26
分类号H01L29/78;H01L27/092;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8234;
代理机构北京三友知识产权代理有限公司;
代理人王一斌
地址 台湾省新竹科学工业园区
入库时间 2023-12-17 15:55:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2007-10-03
发明专利申请公布后的视为撤回
2005-04-20
实质审查的生效
2005-02-16
公开
机译: 栅极结构及其制造方法,薄膜晶体管结构及其制造方法,倒置晶体管结构
机译: 包括埋入式栅极图案的场效应晶体管结构以及制造包括场效应晶体管结构的半导体器件的方法
机译: 具有沟槽栅极电极和减小的特定闭合电阻的MOS晶体管结构及制造MOS晶体管结构的方法
机译:用于制造深亚微米(<0.35μm)T栅极伪晶型高电子迁移率晶体管结构的新型低温软回流工艺
机译:通过使用栅极至源极/漏极非重叠的金属氧化物半导体场效应晶体管结构来减少栅极泄漏
机译:基于硅的双栅极隧道场效应晶体管结构严格研究
机译:具有包含硅纳米晶体的两区和三区栅极电介质的金属氧化物半导体结构:结构,红外和电学性质
机译:自下而上的方法,从胶体纳米晶体的前体制造纳米结构的薄膜。
机译:基于垂直磁隧道结的非易失性可编程开关的设计和制造使用共享控制晶体管结构可将面积减少40%
机译:用于测量2DEG电荷密度和带结构的非接触式方法 高电子迁移率晶体管结构不需要晶体管 制造
机译:扩大单传感器厚度无关超声成像方法,准确表征整体和复合管结构中的微观结构梯度