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公开/公告号CN2723423Y
专利类型
公开/公告日2005-09-07
原文格式PDF
申请/专利权人 西安交通大学;
申请/专利号CN200420041657.4
发明设计人 朱长纯;刘卫华;刘兴辉;齐文;
申请日2004-03-15
分类号C01B31/02;
代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;
代理人李郑建
地址 710049 陕西省西安市咸宁路28号
入库时间 2022-08-21 22:49:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-05-13
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2005-09-07
授权
机译: 等离子体增强化学气相沉积装置和使用该方法制备碳纳米管的方法
机译: Cat-PECVD(催化等离子体增强化学气相沉积)方法,使用相同的材料制成的薄膜,以及配备有该薄膜的薄膜设备
机译: 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成氧化钒薄膜的方法及其制备的氧化钒薄膜
机译:微波等离子体增强化学气相沉积法制备有机薄膜晶体管的碳纳米管的电学和结构性能
机译:微波等离子体增强化学气相沉积法制备碳纳米管薄膜的生长和微观结构
机译:微波等离子体增强化学气相沉积法制备致密碳纳米管薄膜
机译:通过等离子体增强化学气相沉积制备的SnO_(2)薄膜的等离子体表面改性和气体传感性能
机译:等离子体增强了硅薄膜的化学气相沉积:利用等离子体诊断技术表征不同频率和气体成分下的薄膜生长。
机译:等离子体增强化学气相沉积制备的图案化取向碳纳米管的高电流发射
机译:微波等离子体增强化学气相沉积技术沉积多壁碳纳米管 - 石墨烯复合薄膜的结构,场发射和氨气敏特性
机译:等离子体增强热丝化学气相沉积制备高取向碳纳米管;应用物理快报