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公开/公告号CN2587885Y
专利类型
公开/公告日2003-11-26
原文格式PDF
申请/专利权人 吕建治;朱纪伍;
申请/专利号CN02294083.9
发明设计人 吕建治;朱纪伍;
申请日2002-12-26
分类号C23C16/50;C23C16/30;
代理机构
代理人
地址 250021 山东省济南市纬九路141号
入库时间 2022-08-21 22:45:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-02-25
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2003-11-26
授权
机译: 能够在多层基质上气相沉积薄膜的原子层气相沉积装置
机译: 无损耗效应的卧式低压化学气相沉积装置
机译: 卧式化学气相沉积船转移装置
机译:用于有机半导体材料的新型多层薄膜气相沉积装置的描述和测试
机译:多层结构单独施加的气相沉积施加的透明导电膜和有机EL装置
机译:等离子体物理气相沉积和氧自由基处理形成的铁电多层叠层MFIS结构装置的低压3 V操作
机译:有机气相沉积(OVPD)用于高效OLED制造:载流体增强的载气相高的气相沉积的特定优点和可能性,用于制造有机薄膜装置
机译:通过燃烧化学气相沉积法生长的YSZ-氧化铝陶瓷薄膜的纳米压痕。
机译:多过多层多晶MOS2使用等离子体增强的化学气相沉积的生长以获得有效的氢气进化反应
机译:高功率脉冲磁控溅射沉积纳米级多层CrN / NbN物理气相沉积涂层
机译:通过等离子喷涂 - 物理气相沉积沉积高温多层环境屏障涂层。