用于FinFET器件的具有共形多晶硅层的复合伪栅极

摘要

本发明涉及一种FinFET。该FinFET包括形成在衬底上方的鳍状结构。栅极介电层至少部分地包裹鳍状结构的一部分。该栅极介电层包含高-k栅极介电材料。该FinFET包括共形地形成在栅极介电层上的多晶硅层。该FinFET包括形成在多晶硅层上方的金属栅电极层。本发明提供了一种制造FinFET的方法。该方法包括提供鳍状结构，该鳍状结构包含半导体材料。该方法包括：在鳍状结构上方形成栅极介电层；栅极介电层至少部分地包裹鳍状结构。该方法包括在栅极介电层上方形成多晶硅层，其中以共形方式形成多晶硅层。该方法包括在多晶硅层上方形成伪栅极层。本发明提供一种用于FinFET器件的具有共形多晶硅层的复合伪栅极。