公开/公告号CN2299089Y
专利类型
公开/公告日1998-12-02
原文格式PDF
申请/专利权人 宝山钢铁(集团)公司;
申请/专利号CN97216631.9
发明设计人 刘荣发;
申请日1997-05-29
分类号E01B7/08;
代理机构冶金专利事务所;
代理人陈肖梅;阎效泗
地址 201900 上海市宝山区厂前中路1号
入库时间 2022-08-21 22:38:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-07-19
专利权的终止未缴年费专利权终止
专利权的终止未缴年费专利权终止
2001-11-28
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 变更前: 变更后: 申请日:19970529
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
1998-12-02
授权
授权
机译: 多晶硅:硅CMP处理高密度DRAM存储器单元结构-包括沉积第一和第二绝缘层,第一和第二多晶硅:第三绝缘层,去除多余的第二多晶硅:和第三绝缘层,形成电介质并沉积第三多晶硅:硅
机译: 机械式屏障和/或保护系统的组装销。第一联接装置可用于固定结构,第二联接装置,第三和第四联接装置以及第五装置。系统和插入
机译: 中央不固定的尖轨锁定装置,用手(铁路道岔。