退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN2181754Y
专利类型
公开/公告日1994-11-02
原文格式PDF
申请/专利权人 东南大学;
申请/专利号CN94226596.3
发明设计人 刘光廷;詹娟;
申请日1994-01-19
分类号H01L23/62;H01L23/58;
代理机构东南大学专利事务所;
代理人楼高潮
地址 210018 江苏省南京市四牌楼二号
入库时间 2022-08-21 22:35:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2003-02-26
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-11-02
授权
机译: 平面型三端双向可控硅器件及其制造方法
机译: 平面型三端双向可控硅器件的制造方法
机译:铝/富硅氧化物/硅结构作为电涌抑制器的研究,直流,频率响应和建模
机译:燃气轮机驱动器气泵装置的最佳抗电涌控制
机译:自适应抗深切椭球算法优化电涌阻抗负载
机译:为电信设施中的电源系统开发抗电涌保险丝
机译:表征机械应变对硅和III-V半导体器件电性能的影响所面临的挑战。
机译:硅量子点基发光器件的纳米图案化硅结构抗反射特性的仿真与实验研究
机译:奥特拉米赖维抗心房颤动作用的转化研究及体内电涌植物分析
机译:用sOI(绝缘体上硅)薄膜制造的抗辐射JFET器件和CmOs电路