改善HDP PSG工艺的方法及金属沉积前的介电质层制造方法

摘要

本发明提供了一种改善HDP？PSG工艺的方法及金属沉积前的介电质层制造方法。所述改善HDP？PSG工艺的方法包括：执行清洗，以去除腔室中的累积薄膜；进行预沉积，以形成特定的腔室气氛，并且，在预沉积之后实施氢气钝化处理,使腔室达到H原子饱状态；依次针对多个晶圆执行高密度等离子体淀积以淀积磷硅玻璃层。