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在处理晶片中具有高电阻率区域的绝缘体上硅结构及制造此类结构的方法

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摘要

公开了在绝缘体上硅结构的处理晶片中具有高电阻率区域的绝缘体上硅结构。还提供了用于制造此类绝缘体上硅结构的方法。示例性方法包括产生处理晶片的非均匀热施主分布和/或修改掺杂剂分布以在处理晶片中产生新的电阻率分布。这些方法可以包括一个或多个SOI制造步骤或电子器件（例如，RF器件）制造步骤。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-10-22

专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/762 登记生效日:20190927 变更前: 变更后: 申请日:20120313

专利申请权、专利权的转移
2016-03-16

授权

授权
2013-12-25

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20120313

实质审查的生效
2013-12-04

公开

公开

1. 在处理晶片中具有高电阻率区域的绝缘体上硅结构及制造此类结构的方法 [P] . 中国专利： CN103430298B . 2016.03.16
2. 高电阻率绝缘体上硅结构及其制造方法 [P] . 中国专利： CN110352484A . 2019-10-18
3. Silicon-on-insulator structure having a high resistivity region in a handle wafer and method of manufacturing such a structure [P] . 日本专利： JP6228462B2 . 2017-11-08

机译：在处理晶片中具有高电阻率区域的绝缘体上硅结构及其制造方法
4. Silicon-on-insulator structure having a high resistivity region in a handle wafer and method of manufacturing such a structure [P] . 日本专利： JP2014512091A . 2014-05-19

机译：在处理晶片中具有高电阻率区域的绝缘体上硅结构及其制造方法
5. SILICON ON INSULATOR STRUCTURES HAVING HIGH RESISTIVITY REGIONS IN THE HANDLE WAFER AND METHODS FOR PRODUCING SUCH STRUCTURES [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2686878B1 . 2016-05-18

机译：手柄晶片中具有高电阻率区域的绝缘体结构上的硅及其制造方法