包括非易失性存储器单元的集成电路和形成非易失性存储器单元的方法

摘要

一种集成电路具有非易失性存储器单元，所述非易失性存储器单元包含第一电极、第二电极和在其间的离子导电材料。所述第一和第二电极中的至少一者具有直接抵靠着所述离子导电材料收纳的电化学活性表面。所述第二电极升高地在所述第一电极外。所述第一电极在第一方向上侧向延伸，且所述离子导电材料在不同于所述第一方向且与所述第一方向相交的第二方向上延伸。所述第一电极仅在所述第一与第二方向相交的情况下才直接抵靠着所述离子导电材料收纳。揭示了包含方法实施例的其它实施例。