一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供了一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管及其制备方法。场效应晶体管，包括源漏、栅介质、栅电极、沟道和衬底，在源漏靠近沟道一边的侧面和衬底之间有垂直于沟道方向的第一介质隔离层，该第一介质隔离层顶端与沟道表面之间为源漏和沟道的连接部；在源漏底部和衬底之间有平行于沟道方向的第二介质隔离层，该第二介质层与第一介质隔离层连接成一个“L”形。场效应晶体管的制备，先采用选择性外延技术制备第一介质隔离层，再利用氢氦联合注入形成隐埋空洞层的技术来制备第二介质隔离层。本发明的场效应晶体管采用源漏被介质隔离层包裹的结构，可以有效地控制短沟道效应。