位相掩膜光刻制备占空比可调的纳米周期光栅的方法

摘要

本发明公开了一种位相掩膜光刻制备占空比可调的纳米周期光栅的方法。在利用深紫外曝光光源的±1级衍射光位相掩膜光刻法制备周期较掩膜板减小一半的纳米周期光栅的基础上，提出了两种技术方案用于调节光栅的占空比，一是通过改变曝光剂量与胶层厚度来调节光栅占空比，二是通过调节用作刻蚀掩模的遮蔽沉积层的沉积角度并结合反应离子刻蚀技术来调节光栅占空比。通过上述技术与工艺因素的调节，可以获得不同占空比与线条宽度的光栅，从而可获得不同性能与应用领域的占空比不同的纳米周期光栅结构。本发明不限于光栅所用材料及其具体应用范围，并且该方法简单易行，稳定可靠，在高性能纳米光栅的大批量生产领域具有突出的技术优势。