公开/公告号CN103011130B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-01-20
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院金属研究所;
申请/专利号CN201210566068.7
申请日2012-12-24
分类号
代理机构沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人张志伟
地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
入库时间 2022-08-23 09:34:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-01-20
授权
授权
2013-05-01
实质审查的生效 IPC(主分类):C01B31/02 申请日:20121224
实质审查的生效
2013-04-03
公开
公开
机译: 通过循环生长/刻蚀沉积工艺选择性生长嵌入式半导体中的原位掺杂形成的浅PN结
机译: 通过循环生长/刻蚀沉积工艺选择性生长嵌入式半导体中的原位掺杂形成的浅PN结
机译: 生长基于氮化物的半导体晶体以生长高质量的氮化物半导体薄膜并将这种薄膜用作需要高亮度和高可靠性的发光器件的方法