在半导体衬底中产生选择性掺杂结构以制造光伏太阳能电池的方法

摘要

本发明涉及一种用于在半导体衬底中产生选择性掺杂结构以制造光伏太阳能电池的方法。该方法包括下列方法步骤：A)施加掺杂层(2)到该半导体衬底的发射侧上；B)局部加热该掺杂层(2)的熔融区和该半导体衬底的位于该掺杂层(2)下方的熔融区，借助液-液扩散使得掺杂物从该掺杂层(2)扩散到熔融的该半导体衬底中，从而在该熔融混合物凝固后产生高掺杂区(3)；C)整体上加热该半导体衬底以产生面状低掺杂区；D)去除该掺杂层(2)；E)去除或转化该半导体衬底的在该掺杂侧的一层，使得该低掺杂区的和该高掺杂区的近表面部分被去除，或被转化为不导电层。