机译:生产方法例如两级选择性太阳能电池发射极,涉及在半导体本体的表面上产生掺杂剂源,构造掺杂剂源,以及将来自结构化掺杂剂源的掺杂剂插入半导体本体中
公开/公告号DE102009034087A1
专利类型
公开/公告日2011-01-27
原文格式PDF
申请/专利权人 SOLSOL GMBH;
申请/专利号DE20091034087
发明设计人 ROSTAN JOHANNES;
申请日2009-07-21
分类号H01L31/18;H01L31/068;
国家 DE
入库时间 2022-08-21 17:47:46