公开/公告号CN103165609B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-01-20
原文格式PDF
申请/专利权人 南亚科技股份有限公司;
申请/专利号CN201210037153.4
发明设计人 林瑄智;
申请日2012-02-17
分类号
代理机构深圳新创友知识产权代理有限公司;
代理人江耀纯
地址 中国台湾桃园县
入库时间 2022-08-23 09:33:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-01-20
授权
授权
2013-07-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/108 申请日:20120217
实质审查的生效
2013-06-19
公开
公开
机译: 能够减少相邻字线或相邻晶体管的影响的半导体器件及其制造方法
机译: 能够减少相邻字线或相邻晶体管的影响的半导体器件及其制造方法
机译: 降低了功耗的半导体器件以及用于该存储器的半导体薄膜器件中的薄膜晶体管,实现了功耗的降低