多晶硅形成方法、TFT阵列基板制造方法及显示装置

摘要

本发明公开了一种多晶硅形成方法、TFT阵列基板制造方法及显示装置，以解决现有技术中在沟道边缘处TFT容易提早开启，形成驼峰现象的问题。本发明中在预形成TFT处形成具有台阶形状的遮光层，并且所述台阶形状所在位置对应TFT沟道边缘处，在所述遮光层上形成与所述遮光层具有相一致台阶形状的缓冲层与非晶硅层，对所述非晶硅层进行低温晶化处理，形成包含不饱和结晶的多晶硅，从而使得沟道边缘处的多晶硅结晶失效，使TFT器件在沟道边缘处的电流降低，无法表现边缘TFT提早开启的状况，避免驼峰现象的发生。