四方扁平无引脚的功率MOSFET封装体

摘要

本发明公开一种四方扁平无引脚的功率MOSFET封装体，其导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，此基盘引脚区由若干个相间排列的漏极引脚组成，所述散热区位于MOSFET芯片正下方且与MOSFET芯片下表面之间通过软焊料层电连接；所述第一导电焊盘和第二导电焊盘位于MOSFET芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘均包括焊接区和引脚区，焊接区与引脚区的连接处具有一折弯部；一铝导体带跨接于所述MOSFET芯片的源极与第一导电焊盘的焊接区之间，所述铝导体带与MOSFET芯片的源极的焊接条至少为2条且相间排列；所述软焊料层由以下质量百分含量的组分组成：铅92.5%，锡5%，银2.5%。本发明功率MOSFET封装体有利于减少欧姆接触电阻，提高了电性能指标，同时也减少热量的产生。