公开/公告号CN103187387B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-11-11
原文格式PDF
申请/专利权人 财团法人工业技术研究院;
申请/专利号CN201210159760.8
申请日2012-05-22
分类号H01L23/498(20060101);H01L21/48(20060101);H01L21/60(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人宋焰琴
地址 中国台湾新竹县
入库时间 2022-08-23 09:31:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-11-11
授权
授权
2013-07-31
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/498 申请日:20120522
实质审查的生效
2013-07-03
公开
公开
机译: 包括纳米线和连接纳米线的主体的本体的凸块结构,具有该凸块结构的半导体封装件以及制造该半导体封装件的方法
机译: 包括纳米线和连接纳米线的主体的本体的凸块结构,具有该凸块结构的半导体封装件以及制造该半导体封装件的方法
机译: 一种在晶片级封装中用电容器制造底部凸块结构的方法和用电容器制造底部凸块结构的方法